Producătorul SAMSUNG ne aduce o serie de veşti bune învelite odată cu anunţul că au reuşit realizarea primelor module de memorie DDR3 construite folosind procesul tehnologic pe 30 nanometri şi odată cu acestea, noi posibilităţi de economie a consumului graţie voltajelor de doar 1.35V.

Modulele sunt realizate cu densităţi de doi gigabiţi (Gb) şi este de aşteptat ca preţurile să fie competitive şi mai ales accesibile pentru că din declaraţiile oficialilor de la Samsung, folosirea procesului tehnologic pe 30nm aduce o creştere a productivităţii de 60% comparativ cu modulele de memorie realizate pe 40nm.

D.p.d.v al consumului, un modul de 2GB are un consum cu până la 30% mai mic faţă de un modul similar realizat însă în vechile procese tehnologice pe 50nm. Tot Samsung declară că un modul de 4GB (30nm) utilizat în notebook-urile de generaţie nouă consumă doar trei (3) waţi pe oră, adică aproximativ 3% din consumul total al unui notebook.

Diferenţa de alimentare între 1.35V şi 1.5-1.6V nu pare extraodinar de mare, cu siguranţă un utilizator obişnuit nu va observa diferenţe notabile în consum, însă modulele vor face deliciul integratorilor de notebook-uri, clusterelor de servere şi pasionaţilor de overclocking.

Preţurile urmează să fie anunţate, Samsung precizând ca producţia în masă este programată pentru a doua jumătate a acestui an.

Mai multe detalii despre Samsung Green DDR3 pe site-ul www.samsung.com/ddr3. 

^{Sursa: Samsung}